В электронике аббревиатура МОС (от английского MOS — Metal-Oxide-Semiconductor, «металл–оксид–полупроводник») обозначает структуру, на которой построены практически все современные микросхемы: от процессора в ноутбуке до силового ключа в блоке питания. Если вы встретили это слово на форуме радиолюбителей, в описании транзистора или в разговоре, значение будет разным — и дальше мы разберём каждое из них.
Термин встречается минимум в трёх контекстах: как название технологии изготовления полупроводников, как часть слова «MOSFET» (полевой транзистор) и как разговорный сленг. В этой статье объясним, что скрывается за каждым значением, как устроен МОП-транзистор и почему именно эта технология стала основой всей цифровой электроники.
МОС в электронике: металл–оксид–полупроводник
Основное техническое значение аббревиатуры — структура «металл–оксид–полупроводник». Это «сэндвич» из трёх слоёв: проводящего электрода (затвора), тончайшего слоя диэлектрика (оксида, чаще всего диоксида кремния) и полупроводниковой подложки. Именно такая конструкция позволяет управлять током в полупроводнике с помощью электрического поля, почти не потребляя ток по цепи управления.
На английском это звучит как MOS — Metal-Oxide-Semiconductor. В русскоязычной литературе чаще используют аббревиатуру МОП (металл–оксид–полупроводник), а отсюда и знакомое многим словосочетание МОП-транзистор. По сути, МОС и МОП — одно и то же, разница только в языке оригинала.
💡МОС и МОП — русская и английская версии одного термина: структура «металл–оксид–полупроводник», лежащая в основе современной микроэлектроники.